Исследованы спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов n-GaAs, легированных кремнием (Si) до и после облучения импульсами излучения рубинового лазера наносекундной длительности как в зоне облучения, так и вне зоны на расстоянии порядка 0,5 см. Показано, что при дозе облучения, ниже порога плавления материала, облученный слой является гетерофазной системой, содержащей как аморфную, так и кристаллическую фракции с размером кристаллитов (<$E 4~-~6)~cdot~10 sup -9 ~roman м>. Обсужден возможный механизм эффекта дальнодействия.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + З86-531.241

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Борщ Володимир Васильович (технічні науки)
• Власенко Зоя Костянтинівна (фізико-математичні науки)
• Велещук Віталій Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"