Экспериментально исследовано влияние ростовых дефектов в кремниевых слитках различного диаметра (40 - 300 мм) на процессы создания кислородных преципитатов в результате двустадийного отжига (750 <$E symbol Р>С + 1050 <$E symbol Р>С) с использованием ИК-спектроскопии с компьютерным анализом формы полосы поглощения на связях Si - О, электронной микроскопии и измерения спада нестационарной фотопроводимости в условиях низкого уровня возбуждения. Показано, что материал Cz - Si большого диаметра содержит относительно низкую концентрацию электрически активных ростовых микродефектов, представляющих собой малые (0,06 - 0,09 мкм) дислокационные петли. Это обстоятельство приводит к повышенной стабильности такого кремния при термообработках и формированию слабонапряженной фазы оксида (SiO2), которая не содержит деформированных 4-членных колец тетраэдров SiO4 (характерных для преципитированной кислородной фазы в слитках малого диаметра). Облегченный распад последних является одной из причин терморелаксации механических напряжений и, следовательно, термонестабильности и других типов нестабильности.

• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"