Наведено результати електронно-мікроскопічного дослідження особливостей розподілу структурних дефектів, пов'язаних з анізотропією кристалічної гратки й умовами росту монокристалів In4(Se3)1-xTe3x (<$E 0~symbol Г~x~symbol Г~0,2> і <$E 0,68~symbol Г~x~symbol Г~1,0>). Вивчено вплив цих особливостей і легування домішками Ge, Sn, Hg, Se на пропускання ІЧ-випромінювання та на характер спектрального розподілу поперечної фото-ерс Дембера в кристалах. Здійснено оптичне просвітлювання плівками SiO і тришаровим просвітлювальним покриттям SiO - Ge - SiO монокристалів In4(Se3)1-xTe3x і In4Se3. Визначено оптимальні умови вирощування кристалів для одержання оптичних фільтрів і фоточутливих елементів, що функціонують у близькій і середній областях ІЧ-спектра.

• Мельничук Тетяна Анатоліївна (історичні науки)
• Стребежев Віктор Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"