Досліджено кінетику утворення та відпалу A-центрів у зразках кремнію n-типу провідності, вирощеного за допомогою методу Чохральського (Cz n-Si), які опромінено електронами з енергією 1 МеВ, у двох серіях експериментів: опромінювання за кімнатної температури (КТ) із наступним відпалом за температури 360 <$E symbol Р>C; опромінювання за температури 360 <$E symbol Р>C. Показано, що відмінність у кінетиці A-центрів пов'язана з різницею умов накопичення та відпалу дефектів. Механізм відпалу A-центрів не змінюється під дією опромінювання. Причиною цього може бути недостатній ступінь збудження електронної підсистеми кристала в порівнянні з концентрацією рівноважних носіїв заряду. Встановлено, що зі збільшенням температури опромінювання від КТ до 360 <$E symbol Р>C швидкість генерації вільних вакансій <$E lambda sub V> практично не змінюється на відміну від діапазону 100 K - КТ, в якому <$E lambda sub V> зростає зі збільшенням температури.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.312

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Колосюк Андрій Григорович (1982–) (фізико-математичні науки)
• Красько Микола Миколайович (фізико-математичні науки)
• Неймаш Володимир Борисович (фізико-математичні науки)
• Войтович Василь Васильович (фізико-математичні науки)
• Войтович Володимир Васильович (технічні науки)
• Поварчук Василь Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"