Розглянуто методологічні можливості застосування методу позитронної анігіляційної спектроскопії (ПАС) для дослідження об'ємних дефектів в діелектричній алюмомагнієвій кераміці шпінельного типу MgAl2O4. Показано, що при математичній обробці ПАС спектра комп'ютерною програмою LT найкращі значення параметрів підгонки досягаються у ході трикомпонентної процедури. Одержані результати підтверджують існування багатьох об'ємних дефектів у формі індивідуальних вакансій, вакансійно-подібних кластерів, нейтральних та негативно заряджених кластерів зарядно-компенсаційних вакансій, розміщених на границях зерен, а також об'ємних пор, що здатні захоплювати атоми позитронію.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"