Уперше як візуалізувальний сенсор рентгенівського (X) випромінювання досліджено тонкоплівкову електролюмінесцентну структуру (ТПЕЛС) на основі ZnS:Mn і високоомний GaAs, що послідовно підключені до джерела напруги. Наведено електричні властивості пластин GaAs із питомим опором 10 - 70 <$E roman {МОм~cdot~см}> залежно від значення та частоти прикладеної змінної напруги, типу контактів, потужності дози X-випромінювання (PX) і напруги на рентгенівській трубці (VX), що характеризує енергію X-фотонів. Запропоновано та розглянуто декілька технічних рішень для кращого узгодження імпедансів компонентів сенсора та зменшення його електричної асиметрії протягом двох напівперіодів прикладеної напруги, що негативно впливає на світіння ТПЕЛС. Для вимірювання PX використано рентгенорезистивний ефект GaAs і залежність порогової напруги перемикання GaAs у низькоомний стан від потужності дози. Основні параметри створених лабораторних зразків X-сенсора - порогова чутливість: 2 - 4 мР/с і 1 - 2 мРс відповідно при VX = 30 і 80 кВ; світловіддача становить <$E 5~-~20~roman {кд~cdot~с "/" (м sup 2~cdot~Р})>; швидкодія - десятки мілісекунд.

Індекс рубрикатора НБУВ: З995-5

Рубрики:

Рентгенотехніка

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Олексенко Павло Феофанович (1940–2021) (технічні науки)
• Велігура Людмила Іванівна (фізико-математичні науки)
• Денисова Зінаїда Леонідівна (фізико-математичні науки)
• Кладько Василь Петрович (1957–) (фізико-математичні науки)
• Горонескуль Віктор Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"