Визначено час релаксації, рухливість електронів і статичну електропровідність, зумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту. Для невиродженої статистики носіїв струму за достатньо низьких температур (Т) рухливість електронів <$E u sub n ~symbol Х~T sup {1 "/" 2}>. У граничному випадку сильного магнітного поля Н, напрямленого вздовж осі дроту, рухливість визначається множником <$E Н sup {-1 "/" 2}>. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є важливим для електропровідності достатньо тонкого і чистого дроту за низьких температур. Числові розрахунки проведено для дроту з GaAs.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Рувінський Марк Аунович (фізико-математичні науки)
• Рувінський Борис Маркович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"