С помощью метода вторично-ионной масс-спектроскопии при температурах 923 и 948 К послойно изучен рост фазы дисилицида ванадия VSi2 толщиной до 2 мкм, расположенной между исходными чистыми фазами V и Si. Показано наличие двух характерных стадий роста такого слоя. Представлено уточненное теоретическое описание закона роста слоя промежуточной фазы в пренебрежении растворимостью исходных компонентов друг в друге. Данный теоретический подход хорошо согласуется с экспериментальными данными. Из имеющихся экспериментальных данных найдены характерные показатели времени и длины, которые описывают разные стадии роста и определяют переходы между ними.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"