Розраховано електронну структуру інтерметалічного напівпровідника ZrNiSn, сильнолегованого донорними домішками (ДД) шляхом заміщення атомів Ni на Cu. Проаналізовано механізми електропровідності n-ZrNiSn за різних концентрацій ДД у температурному інтервалі 80 - 380 K. Експериментально виявлено передбачений розрахунками перехід провідності діелектрик - метал у <$E {roman ZrNi} sub 1-x {roman Cu} sub x roman Sn> (перехід Андерсона), зумовлений переходом рівня Фермі з домішкової донорної зони в зону провідності у разі збільшення концентрації ДД. Визначено залежність коефіцієнта термоелектричної потужності <$E Z sup *> n-ZrNiSn від концентрації ДД Cu в інтервалі температур 80 - 380 K.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Чекурін Василь Феодосійович (1951–2021) (фізико-математичні науки)
• Горинь Андрій Маркіянович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"