Проведены исследования по оптимизации условий роста и режимов последующей термообработки кристаллов <$E ( alpha ) {roman K} sub 1-x {roman Rb} sub x roman TiOPO sub 4> с целью увеличения их структурного совершенства. Установлено, что существует оптимальный диапазон значений линейных скоростей роста Vgr = 0,055 - 0,065 мм/ч грани (100) монокристаллов <$E ( alpha ) {roman K} sub 1-x {roman Rb} sub x roman TiOPO sub 4>, при которых лучевая прочность имеет максимальные значения, а электропроводность - минимальные. Проведение дополнительного отжига при <$E p roman O sub 2~=~7~cdot~10 sup 5~-~10 sup 6> Па по режиму: нагрев со скоростью 100 - 50 К/ч до 1273 К (выдержка t = 40 - 50 ч) <$E symbol О> охлаждение 0,5 - 8 К/ч до 1173 К и 10 - 50 К/ч - до 303 К способствовало увеличению значений Pmax и <$E sigma> в 1,3 и 1,7 раза соответственно.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"