Установлено закономірності дії іонізуючого високоенергетичного гамма-опромінення (<$E roman Co sup 60>) на стабільність параметрів температурних сенсорів, виготовлених на базі p - n переходів кремнієвих транзисторів із низьколегованою базою. Опромінення датчиків здійснено за кімнатної температури <$E gamma>-квантами (<$E roman Co sup 60>, потужність дози випромінювання 0,5 Гр/с) дозами <$E 10~-~10 sup 4> Гр. Одержані експериментальні дані свідчать, що за <$E gamma>-опромінення дозами <$E symbol Г~5~cdot~10 sup 2> Гр температурна характеристика сенсора стабілізується в часі і не зміщується у випадку повторного опромінення. Зроблено висновок, що мінімальні радіаційні зміни спостерігаються в p - n структурах з тонкою базою, що свідчить про радіаційну стійкість досліджуваних сенсорів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З322-5

Рубрики:

Вимірювання температури (термометрія)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Павлик Богдан Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"