Разработана технология получения нелегированных кристаллических пленок оксида цинка, обеспечивающая возможность целенаправленного изменения их электрического сопротивления (ЭС) в пределах <$E rho~=~3~times~10 sup -4~-~1~times~10 sup 7~roman {Ом~cdot~см}>. Изучена взаимосвязь электрических характеристик ZnO-слоев с параметрами процесса их нанесения и определены условия формирования высокоомных i-ZnO- и низкоомных n-ZnO-пленок с заданными значениями ЭС. Установлено, что доминирующим фактором, определяющим величину проводимости пленок ZnO, является изменение концентрации свободных носителей, контролируемое кислородными вакансиями. С целью выбора оптимальных режимов формирования высокопрозрачных покрытий с заданной величиной проводимости изучены особенности микроструктуры и спектральных свойств (спектров краевого поглощения и пропускания в области прозрачности) n-ZnO-пленок, осажденных специальными методами реактивного магнетронного распыления цинковой мишени в среде аргона с кислородом (10 % Ar, 90 % O2) при давлении <$E 5~times~10 sup -3> мм. рт. ст. Показано, что разработанный метод дискретного формирования ZnO-пленок на аморфных подложках обеспечивает изготовление кристаллических структур стехиометрического состава с высокой плотностью упаковки и пространственной ориентацией кристаллитов в направлении [002]. Установлено, что даже в случае n-ZnO-пленок с <$E rho~=~3~times~10 sup -3~roman {Ом~cdot~см}> особенности микроструктуры обусловливают высокую величину пропускания покрытий. Показана возможность формирования двухслойных структур n-ZnO/i-ZnO, перспективных для снижения себестоимости солнечных элементов при их

серийном производстве.

• Гончарова Оксана Валеріївна (педагогічні науки)
• Гончарова Олена Вікторівна (біологічні науки)
• Гончарова Ольга Володимирівна (економічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"