Проведено порівняльне дослідження впливу термічного відпалу монокристалічного кремнію та його поруватої модифікації орієнтації (111), n-типу провідності на роботу виходу таких об'єктів методом контактної різниці потенціалів. Виявлено, що під час термічного відпалювання зразків поруватого кремнію (ПК) у високому вакуумі до 1373 К їх робота виходу знижується, однак залишається на ~ 0,24 еВ вищою від роботи виходу зразка вихідного монокристалічного кремнію. Крім того, на відміну від звичайного кремнію, ПК характеризується від'ємними значеннями термічного коефіцієнта роботи виходу. Більші значення роботи виходу ПК у порівнянні з монокристалом кремнію пояснюється адитивними факторами: топологією поверхні ПК (впливом розмірного ефекту квантових дротин ПК на його енергетичну діаграму) та впливом природних поверхневих покриттів, що формуються в процесі синтезу ПК (SiO2, SiC тощо).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Монастирський Любомир Степанович (фізико-математичні науки)
• Кособуцький Петро Сидорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"