Зосереджено увагу на аналізі реальних умов, які виникають на межі підкладинки й епітаксійно нарощуваного шару. Аналіз проведено з урахуванням того, що підкладинки, виготовлені навіть з найкраще освоєних матеріалів, до яких, безумовно, можна віднести об'ємні, бездислокаційні й нелеговані зонновирощені (FZ) монокристали кремнію, неминуче мають у своєму об'ємі мікродефекти різної природи. Технологічні проблеми, що виникають при епітаксійному нарощуванні моно- чи гетерошару на підкладинку, пов'язані з тим, що об'ємні мікродефекти підкладинки мають розміри в межах від одиниць до сотень нанометрів і їх слід (проекція) виходить, природно, на актуальну для епітаксії поверхню, яка розділяє підкладинку з епітаксійно нарощуваним шаром.

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"