Досліджено сполуки RTxX2 (R - рідкоземельні елементи, T - елементи з валентними d-електронами, X - елементи з p-електронами), що мають ромбічну структуру типу CeNiS2. Розраховано параметри <$E B sub n sup m> для RTX2 сполук у разі використання моделі точкового заряду. Простежене в месбауерівських спектрах GdTxSn2 (T = Fe, Co, Ni, Cu) квадрупольне розщеплення дозволило з'ясувати величину параметра <$E B sub 2 sup 0> для сполук RTX2.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г522.1 + В372

Рубрики:

Кристалічні структури неорганічних сполук

Структура твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж28852/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"