![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000181537<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Находкін М. Г. Формування інтерфейсу Sb/Ge(111) / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2006. - № 4. - С. 323-332. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.За допомогою методів УФЕС, ОЕС та ДПЕ досліджено електронні властивості кристалічної Ge(111)c-<$E 2~times~8> та розупорядкованої іонами <$E roman Ar sup +> а-Ge(111) поверхонь, а також інтерфейсів на них з атомами Sb в діапазоні температур 20 - 400 C. Установлено складний характер зміни загину зон і роботи виходу залежно від ступеня покриття поверхонь атомами Sb та температури прогріву інтерфейсів. Запропоновано модель, що пояснює експериментальні дані. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|