Проанализированы данные по сечению K-ионизации атомов Si релятивистскими электронами в тонком слое кремния. Приведены имеющиеся результаты измерений и результаты расчетов сечения по различным формулам из литературы. Обсуждено влияние эффекта плотности на поведение сечения при высоких энергиях налетающих электронов. Получена простая формула, аппроксимирующая имеющиеся экспериментальные данные для кремния. Эту формулу для расчета сечения K-ионизации Si можно использовать при анализе экспериментальных данных по выходу характеристического рентгеновского излучения (ХРИ) из тонкого слоя кремния в диапазоне энергий налетающих электронов от единиц до сотен МэВ. Обсуждено использование ХРИ в экспериментах на пучках частиц высоких энергий.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"