Русецкий И. А. Фотоэлектрохимические свойства GaAs-электрода, модифицированного Zn и Pt / И. А. Русецкий, Г. Я. Колбасов, Д. Б. Данько, Ю. М. Солонин, Л. Г. Щербакова, И. А. Косско // Укр. хим. журн. - 2006. - 72, № 1-2. - С. 62-64. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Исследована фотоэлектрохимическая система, содержащая GaAs-электрод, модифицированный Zn и Pt, и катод на основе сплавов LaNi5 и LaNi2,5Co2,5, используемый для накопления продукта фотоэлектрохимической реакции - водорода. Показано, что такая система является перспективной для преобразования солнечной энергии. Індекс рубрикатора НБУВ: Г552.7 + Г576.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|