За допомогою методів оптичної та растрової електронної мікроскопії досліджено особливості морфологічних змін тонких плівок алюмінію, оксиду кремнію та приконтактних шарів монокристалічного кремнію у вертикальних тонкоплівкових структурах Al - <$E n~-~n sup +>-Si - Al, Al - (тунельно тонкий SiO2) - n-Si - Ni з бар'єром Шотткі внаслідок процесів старіння після термічного відпалу та імпульсного лазерного опромінювання. Проаналізовано особливості впливу перехідного тонкоплівкового шару оксиду кремнію між Al і Si та шару оксиду SiO2 по периметру контакту в інтегральних структурах Al - <$E n~-~n sup +>-Si - Al на фізичні процеси деградації контактів і зміну їх електрофізичних характеристик.

Ключ. слова: бар'єр Шотткі, монокристал кремнію, тонкоплівкові структури, растрова електронна мікроскопія
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7

Рубрики:

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Воробець Марія Михайлівна (хімічні науки)
• Мельничук Тетяна Анатоліївна (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"