Тонкі епітаксійні шари MnxHg1-xTe (2 - 3 мкм) одержано за допомогою методу імпульсного лазерного випаровування і конденсації. Вивчено особливості їх осадження на підкладки CdTe з орієнтацією (111) та досліджено вплив технологічних параметрів на структурні та електрофізичні властивості шарів MnxHg1-xTe. Встановлено, що епітаксійний ріст шарів MnxHg1-xTe спостерігається у вузькому діапазоні температури підкладки - від 180 до 210 <$E symbol Р>C. Після росту шари мали n-тип провідності з концентрацією носіїв <$E (0,6~symbol Ш~3)~cdot~10 sup 17~roman см sup -3> і рухливістю <$E (3,5~symbol Ш~6,5)~cdot~10 sup 3~roman {см sup 2 "/" ( B~cdot~c )}> при 77 K. Різке зростання рухливості носіїв (в 30 - 50 разів) відбувається після двостадійної обробки в парах ртуті.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + З843.395-06

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"