У межах самоузгодженого підходу проаналізовано закономірності впливу на поверхневі рекомбінаційні втрати (ПРВ) величини та знака поверхневого заряду, параметрів рекомбінаційних центрів межі поділу діелектрик - напівпровідник, концентрації легуючих домішок в емітері та в базовій області сонячного елемента (СЕ), а також рівня ін'єкції (РІ) в базі та в емітері. Показано, що пасивація поверхні діелектричним шаром, що містить вбудований заряд того ж знака, що й основні носії заряду в прилеглому напівпровідниковому шарі, може призвести до катастрофічного збільшення ПРВ. У той же час у разі утворення приповерхневих шарів збагачення чи інверсії ПРВ у випадку малих РІ істотно знижуються. Залежно від величини та знака поверхневого заряду характер залежності ефективної швидкості поверхневої рекомбінації (ПР) від РІ нерівноважних носіїв заряду може бути як спадним, так і зростаючим. В області максимально великих РІ ефективна швидкість ПР перестає залежати від РІ та конструктивного виконання СЕ та визначається винятково параметрами поверхневих рекомбінаційних центрів.

• Костильов Віталій Петрович (фізико-математичні науки)
• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"