Вивчено фізичні механізми впливу імпульсного лазерного випромінювання мілісекундної тривалості підпорогової інтенсивності на формування перехідного шару та механізми протікання струму в діодах Шотткі (ДШ) Pt - p-CdTe:Cl. Розроблено методики та встановлено оптимальні режими лазерного опромінювання структур Pt - p-CdTe:Cl, за яких є можливим зменшення концентрації глибоких рівнів, пов'язаних із структурно-домішковими дефектами у напівпровіднику, та зменшення генераційно-рекомбінаційної складової струму в ДШ. Визначено величини потенціального бар'єра контактів Pt - p-CdTe:Cl <$E phi sub b~=~(0,84~symbol С~0,02)> еВ та енергій активації глибоких рівнів <$E E prime sub a~=~(0,58~symbol С~0,02)> еВ, <$E E symbol Т sub a~=~(0,72~symbol С~0,02)> еВ, <$E E sub a symbol Т prime~=~(0,43~symbol С~0,02)> еВ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 + В372.7

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"