Представлено результати експериментальних досліджень люмінесцентних властивостей тонких плівок потрійних сполук <$E {roman GaN} sub x {roman As} sub 1-x>, одержаних шляхом нітридизації поруватих підкладок GaAs. Визначено можливість керування концентрацією миш'яку та азоту у сполуці GaNAs завдяки оптимізації технологічних параметрів його відпалу у збуджених атомах азоту. Одержані результати є цікавими в аспекті використання підкладки GaAs кристалографічної орієнтації (111) для подальшого формування бінарної сполуки GaN кубічної модифікації. Показано можливість зміни енергетичного положення близькокрайової смуги люмінесценції сполуки <$E {roman GaN} sub x {roman As} sub 1-x> від 2,63 до 2,44 еВ у разі зміни величини концентрації миш'яку від 1 до 10 %. Визначено залежність типу кристалічної гратки плівок GaN від ступеня поруватості підкладки por-GaAs/GaAs(111). Показано, що використання підкладок GaAs із величиною поруватості 30 % сприяє одержанню плівок GaN кубічної модифікації. Наявність характерного піка 3,42 еВ пов'язано з присутністю кристалітів гексагональної модифікації GaN у матриці кубічного GaN.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.393 + В379.226

Рубрики:

Рідкі метали

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)
• Ревенко Андрій Сергійович (фізико-математичні науки)
• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Богословська Алла Борисівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"