Рассмотрена задача о влиянии поступательной вибрации вдоль направления выращивания кристалла на устойчивость фронта кристаллизации расплава бинарной системы с малым числом Прандтля в условиях космического эксперимента. Расчеты, проведенные для смеси Ge - Si, показали, что вибрация оказывает такой же эффект, как и сила тяжести в земных условиях, и приводит к появлению длинноволновой неустойчивости, связанной с вызываемой вибрацией конвекцией в расплаве. Увеличение концентрации примеси способствует развитию как морфологической неустойчивости, так и неустойчивости, обусловленной вибрацией. Увеличение скорости выращивания оказывает стабилизирующие действие на вибрационную неустойчивость и дестабилизирующее - на морфологическую. Между максимальным значением критической скорости выращивания для вибрационной моды и минимальным значением критической скорости для морфологической моды существует интервал оптимальных скоростей выращивания, при которых фронт кристаллизации остается плоским.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"