Приведены результаты исследований выходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления выходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами различной толщины и типа проводимости последних обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного применения на основе кристаллов кремния n-типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Зайцев Роман Валентинович (1986–) (фізико-математичні науки)
• Копач Володимир Романович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"