Используя карты распределения интенсивности диффузно рассеянного рентгеновского излучения в обратном пространстве, полученные в симметричной 004 и несимметричных 113 и 224 дифракционных геометриях, исследованы 8-мипериодные напряженные <$E {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As "/" GaAs}(100)> структуры (x = 0,20 - 0,35), выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены латеральный период модуляции, среднее значение компонентного состава в слое <$E {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> и вертикальный период сверхрешетки. Установлено, что латеральная модуляция наблюдалась только вдоль одного [0 - 11] направления в плоскости, отвечающего образованию квантовой нитеподобной структуры. Обсуждены возможные физические механизмы латеральной модуляции компонентного состава и толщины <$E {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> и их роль при формировании квантовых точек в напряженных <$E {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As "/" GaAs}> структурах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.13

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кладько Василь Петрович (1957–) (фізико-математичні науки)
• Стрельчук Віктор Васильович (фізико-математичні науки)
• Слободян Наталія Володимирівна (історичні науки)
• Слободян Ніна Вячеславівна (технічні науки)
• Мачулін Володимир Федорович (1950–2014) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"