Досліджено вплив ультразвукової (УЗ) обробки на перебудову радіаційних дефектів (РД) у кристалах n-Si з високою концентрацією кисню (<$E 9,5~cdot~10 sup 17~roman см sup -3>), опромінених <$E gamma>-квантами <$E ~sup 60 roman Co> дозами <$E 10 sup 8> і <$E 10 sup 9> рад. Виявлено зміни температурних (100 - 300 K) залежностей концентрації n(T) і рухливості носіїв заряду <$E mu (T)> після <$E gamma>-опромінень (незворотні зміни) та УЗ обробок (зворотні). Із теоретичних розрахунків визначено енергетичні положення дефектних рівнів та їх концентрації. Обговорено можливість акустостимульованої перебудови виявлених РД шляхом зміни конфігурації, структури та зарядженості на прикладі дворівневої енергетичної конфігураційно-координатної моделі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.226

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бабич В'ячеслав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Бабич Вілік Максимович (1938–) (фізико-математичні науки)
• Долголенко Олександр Петрович (фізико-математичні науки)
• Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Тимочко Микола Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"