Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротивлением 4000 <$E roman {Ом~cdot~см}>. Обнаруженное значение плотности фототока, равное 48,6 <$E roman мА "/" roman см sup 2>, является рекордным для отечественных монокристаллических кремниевых ФЭП, что обусловливает целесообразность разработки серийных ФЭП с p-i-n структурой. Изучено влияние слабо концентрированного излучения на эффективность работы ФЭП такого типа. Обоснованы предложения по усовершенствованию конструкции ФЭП с p-i-n структурой, обеспечивающему увеличение их кпд до 20 %.

• Копач Володимир Романович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"