Для спінової підсистеми напівпровідника з глибоким домішковим рівнем, що створюється елементом з незаповненою 3d- або 4f-оболонкою, одержано систему часових рівнянь, яка дає змогу розраховувати просторово-часові розподіли концентрацій і степені спінової поляризації зонних електронів і магнітних іонів, а також внутрішнього електричного поля залежно від величин і сукупності керуючих параметрів (інтенсивності та типу поляризації світлової хвилі, хвильового вектора, напруженості зовнішнього електричного поля та часів довготривалої релаксації спінів електронів у зоні провідності та на домішковому рівні). Показано, що фізично коректні результати стосовно величини степені спінової поляризації зонних електронів під дією циркулярно-поляризованого світла за умови домішкового поглинання одержуються за врахування початкового стаціонарного просторово-неоднорідного розподілу фазових змінних у процесі їх розкладу у ряд Фур'є вже у наближенні однієї гармоніки.

• Мислюк Оксана Михайлівна (фізико-математичні науки)
• Горлей Павло Петрович (фізико-математичні науки)
• Дугаєв Віталій Костянтинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"