Досліджено суттєве збільшення прямого опору кристала напівпровідникового діода під впливом різної кількості поодиноких імпульсів ударного струму. Показано, що за струмів менших за величину ударного струму (Iпр,уд) значення опору та надійність роботи такого діода не змінюється. За Iпр,уд опір діода починає збільшуватися під час кожного повторного імпульсу, та після декількох імпульсів діод виходить із ладу. Ефекти, що спостережено, пояснено тим, що за такого різко неоднорідного розігріву за рахунок термічних механічних напруг виникають дефекти та мікротріщини в напівпровідниковому кристалі, що призводять до появи додаткових рівнів рекомбінації. У цьому випадку час життя носіїв заряду зменшується, ефективний прямий опір діода збільшується, що призводить до збільшення виділеної на ньому потужності та виходу його з ладу.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"