Предложен метод создания микроконтактов из ртути для исследований в области микроконтактной спектроскопии. В данном методе при низкой температуре микроконтакты создаются между покрытыми ртутью металлическими электродами-подложками. Покрытия созданы экспонированием электродов в ртути при комнатной температуре. Экспериментально изучена нелинейная часть сопротивления контактов в нормальном состоянии с последующим восстановлением микроконтактной функции электрон-фононного взаимодействия. Результаты эксперимента находятся в хорошем согласии с известными данными по туннельному эффекту в сверхпроводниках. В частности, хорошо совпадают положения основного пика функции электрон-фононного взаимодействия, максимальная частота фононов, а также численные значения средней и среднеквадратичной фононных частот.

• Хоткевич Андрій Володимирович (1954–2019) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"