Синтезовано нову бінарну сполуку Gd3Ge4 та за допомогою рентгенівського методу порошку встановлено, що вона кристалізується в ромбічному структурному типі Er3Ge4, просторова група Cmcm, a = 4,0968(6), b = 10,745(2), c = 14,352(2) <$E roman A back 65 up 45 {symbol Р}> при 1070 K. Ця сполука доповнює ряд ізоструктурних сполук, які утворюються в системах {Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Lu} - Ge. Для сполуки Tb3Ge4 визначено параметри елементарної комірки при 1170 K: a = 4,0633(5), b = 10,675(1), c = 14,266(2) <$E roman A back 65 up 45 {symbol Р}>.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.315 + В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Пукас Світлана Ярославівна (хімічні науки)
• Гладишевський Роман Євгенович (1958–) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"