У системі Er - Ga - Si синтезовано три нові тернарні сполуки. За допомогою методу рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків визначено структуру сполуки <$E roman {ErGa sub {0,41 - 0,58} Si sub {1,21 - 1,11} }> (варіант впорядкування ромбічного типу <$E alpha - roman GdSi sub 2>, Imma, a = 0,39544(1) - 0,39646(5), b = 0,40185(1) - 0,40385(5), c = 1,33897(4) - 1,3467(2) нм) та ErGa1,48Si0,52 (тетрагональна структура типу <$E alpha - roman ThSi sub 2>, I41/amd, a = 0,40547(4), c = 1,4310(2) нм). Кристалічну структуру сполуки Er4Ga2,72Si3,28 розшифровано методом монокристала; вона належить до власного ромбічного типу (C2cm, a = 0,38290(10), b = 2,4791(8), c = 0,41998(13) нм). Цей структурний тип споріднений до типу Pr4Al3Ge3, однак характеризується розщепленням двох із п'яти положень атомів та іншим розподілом атомів p-елементів по правильних системах точок.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г534.512

Рубрики:

Системи метал-неметал

Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Пукас Світлана Ярославівна (хімічні науки)
• Гладишевський Роман Євгенович (1958–) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"