За допомогою методу термодинамічних потенціалів розраховано концентрації точкових дефектів та вільних носіїв заряду в кристалах CdTe залежно від технологічних факторів двотемпературного відпалу (температура відпалу T, парціальний тиск пари кадмію <$E P sub roman Cd>). Встановлено тип домінуючого виду дефектів у матеріалі n-типу та матеріалі p-типу провідності. Показано, що для всієї досліджуваної області T та <$E P sub roman Cd> концентрації заряджених дефектів є більшими за концентрації нейтральних.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Прокопів Володимир Володимирович (хімічні науки)
• Прокопів Володимир Васильович (фізико-математичні науки)
• Фочук Петро Михайлович (хімічні науки)
• Горічок Ігор Володимирович (хімічні науки)
• Вержак Євгенія Василівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"