Пленки <$E {roman a-Si} sub 1-x {roman C} sub x : roman H> получены методом реактивного ионного распыления кремниевой мишени в атмосфере Ar/CH4 магнетроном на постоянном токе. Исследованы два образца с соотношением кремний/углерод (Si/C) 47:47 и 24:65. Отжиг проведен в вакууме при давлении остаточной атмосферы <$E 10 sup -4> Па в течении 15 мин в температурном диапазоне 400 - 850 <$E symbol Р>C. Структура пленок проанализирована с помощью колебательной спектроскопии поглощения в ИК-диапазоне и комбинационного рассеяния света. Установлено, что энергия углерод-водородной связи увеличивается при введении в локальное окружение углерода атомов кремния (конфигурация Si:C - Hn). Показано, что в обогащенных углеродом пленках <$E {roman a-Si} sub 1-x {roman C} sub x : roman H> при отжиге в диапазоне температур 550 - 650 <$E symbol Р>C образуются дополнительные углерод-водородные связи Si:C - Hn. Концентрация новых связей Si:C - Hn увеличивается в обогащенных углеродом образцах. На основании полученных экспериментальных данных предложена модель, согласно которой дополнительные связи Si:C - Hn образуются при взаимодействии высвободившегося слабосвязанного водорода с ненасыщенными связями C=C.

• Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"