Вивчено термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів (НК) <$E {roman Si} sub 1-x {roman Ge} sub x> <$E (х~=~0,01~symbol Ш~0,11)> у діапазоні температур <$E 4,2~symbol Ш~500> К. Виміряно характеристики НК з концентрацією бору поблизу переходу метал - діелектрик з діелектричного боку переходу. Досліджено температурні залежності коефіцієнта Зеєбека для НК з різним питомим опором (<$E rho~=~0,01~symbol Ш~0,05~roman {Ом~cdot~см}>). Встановлено, що коефіцієнт Зеєбека переважно слабко зростає з ростом температури. Кутовий коефіцієнт <$E alpha (T)> залежить від рівня легування НК. Величина <$E alpha> становить майже 1 мВ/К, що перспективно для застосування їх як чутливих елементів сенсорів температури. Для оцінки ефективності такого сенсора оцінено термоелектричну добротність Z НК. Залежно від рівня легування термоелектрична добротність НК в досліджуваному інтервалі температур становить ~ <$E (1~symbol Ш~2)~cdot~10 sup -4~roman K sup -1>. Таким чином, одержані результати дають можливість зробити висновок, що сильно леговані НК Si - Ge (<$E x~=~0,01~symbol Ш~0,1>) можна використовувати для виготовлення сенсорів кріогенних та вищих за кімнатну температур.

• Дружинін Анатолій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Островський Ігор Петрович (фізико-математичні науки)
• Когут Юрій Романович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"