Проведено порівняльний аналіз впливу фізико-хімічних властивостей матеріалів підкладок, які використовують для епітаксійного вирощування тонких плівок GaN, на структурно-морфологічні, кристалографічні, електрофізичні, оптичні й інші параметри та характеристики таких плівок. Крім широко використовуваних підкладок, таких, як сапфір, 6Н-SiC, Si, GaAs та AlN, особливо увагу приділено поруватим підкладкам на основі Si та GaA, які за останні роки стали перспективним матеріалом для одержання тонких шарів GaN підвищеної структурної досконалості як гексагональної, так і кубічної модифікацій.

• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)
• Ревенко Андрій Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"