Розраховано залежність концентрації дефектів від рівня легування для середньостатистичного кластера в n-Si. Показано, що в межах моделі Госсіка концентрація дефектів для такого кластера є обернено пропорційною квадрату його радіуса. Одержано розподіл за розмірами кластерів дефектів, утворених швидкими нейтронами реактора ВВР-М, шляхом перетворення енергетичного спектра первинно-вибитих атомів у n-Si (FZ, Cz). Розраховано граничну енергію утворення кластерів, яка становить 4,7 кеВ, порівнюючи кристали n-Si, опромінені дейтронами та швидкими нейтронами реактора.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.8

Рубрики:

Кластери в твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"