Smyntyna V. A. External bias influence on the transmission processes in nonideal heterojunction = Вплив зовнішнього зміщення на перехідні процеси в неідеальному гетеропереході / V. A. Smyntyna, V. A. Borschak, M. I. Kutalova, N. P. Zatovskaya, A. P. Balaban // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 23-27. - Библиогр.: 3 назв. - англ.Визначено оптимальні умови для нагромадження та збереження нерівноважного позитивного заряду. Максимальну швидкість нагромадження заряду для зразка, базовий шар сульфіду кадмію якого одержано за допомогою методу електрогідродинамічного (ЕГДРР) розпилення у повітрі, досягнуто за невеликих негативних зсувів (-0,3 В), а для зразка, одержаного вакуумним осадженням, - за будь-яких негативних зсувів або нульового. Зменшення швидкості викиду локалізованого на центрах захоплення в ОПЗ нерівноважного заряду (оптимальні умови збереження) для випадку одержання сенсора за допомогою методу ЕГДРР розпилення у повітрі здійснено за будь-яких негативних зсувів, а для зразка, одержаного вакуумним осадженням, - за V = -0,41 В. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|