РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000198516<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Smyntyna V. A. 
External bias influence on the transmission processes in nonideal heterojunction = Вплив зовнішнього зміщення на перехідні процеси в неідеальному гетеропереході / V. A. Smyntyna, V. A. Borschak, M. I. Kutalova, N. P. Zatovskaya, A. P. Balaban // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 23-27. - Библиогр.: 3 назв. - англ.

Визначено оптимальні умови для нагромадження та збереження нерівноважного позитивного заряду. Максимальну швидкість нагромадження заряду для зразка, базовий шар сульфіду кадмію якого одержано за допомогою методу електрогідродинамічного (ЕГДРР) розпилення у повітрі, досягнуто за невеликих негативних зсувів (-0,3 В), а для зразка, одержаного вакуумним осадженням, - за будь-яких негативних зсувів або нульового. Зменшення швидкості викиду локалізованого на центрах захоплення в ОПЗ нерівноважного заряду (оптимальні умови збереження) для випадку одержання сенсора за допомогою методу ЕГДРР розпилення у повітрі здійснено за будь-яких негативних зсувів, а для зразка, одержаного вакуумним осадженням, - за V = -0,41 В.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського