Досліджено температуру розігріву напівпровідникового діодного кристала під дією потужного поодинокого імпульсу струму з екстремально великою ударною амплітудою. Одержано залежності розігріву діодного кристала від амплітуди, тривалості та кількості імпульсів ударного струму. Результати пояснено суттєвим збільшенням прямого опору кристала напівпровідникового діода.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"