Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури, розподілу електронної густини, питомого електроопору, коефіцієнта термоерс, енергетичних характеристик інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~380> К, <$E N sub A sup Y~symbol Ы~3,8~cdot~10 sup 20> см<^>-3 <$E (x~=~0,02)~symbol Ш~4,8~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,25). Зроблено висновки про механізми електропровідності <$E {roman Zr} sub 1-x {roman Y} sub x roman Ni> та особливості зміни значень коефіцієнта термоелектричної потужності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Горинь Андрій Маркіянович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"