Досліджено структури nc-Si/SiO2, опромінені <$E gamma>-квантами дозою <$E 2~cdot~10 sup 7> рад і відпалені в діапазоні температур 50 - 450 <$E symbol Р>C. Показано, що процес відпалу радіаційних дефектів характеризується не єдиним, а розподіленим значенням енергії активації. З аналізу ізотермічних кривих знайдено значення частотного фактора процесів відпалу <$E A~=~10 sup 7~roman c sup -1>. Використовуючи методи ізохронного та ізотермічного відпалів, побудовано функцію розподілу енергії активації <$E n(E sub roman a )>. Ця величина розподілена в інтервалі 0,85 - 1,05 еВ із піком за 0,96 еВ. Наведені характеристики відпалу дозволяють зробити висновок, що радіаційні дефекти, які призводять до часткового гасіння фотолюмінесценсії, утворюються на межі поділу Si нанокристал - оксидна матриця. Природа цих дефектів і механізм їх утворення, скоріш за все, подібні таким, що притаманні поверхневим станам, які утворюються іонізуючим опроміненням на межі поділу планарних структур Si - SiO2.

• Лісовський Ігор Петрович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Войтович Марія Володимирівна (фізико-математичні науки)
• Войтович Михайло Володимирович (фізико-математичні науки)
• Войтович Марія Володимирівна (1965–) (психологічні науки)
• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)
• Хацевич Ігор Мирославович (фізико-математичні науки)
• Войтович Василь Васильович (фізико-математичні науки)
• Войтович Володимир Васильович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"