Розглянуто нетривіальні фізичні характеристики, яких набувають традиційні об'ємні вузько- (ВН) і безщілинні (БН) напівпровідники (антимонід індію, потрійна сполука <$E{roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te>, або КРТ) під дією одноосьового пружного стиску і які можуть мати важливе прикладне застосування. Такий стиск знижує симетрію кристала, приводячи до перебудови його зонної структури. У ВН під дією одноосьового стиску різко знижується темп безвипромінювальної оже-рекомбінації (яка домінує в цих кристалах) і зростає швидкість випромінювальної рекомбінації. Це відкриває можливість радикально (на порядок) підвищити квантовий вихід і зробити названі кристали матеріалом, ефективним не тільки для приймачів, але і для випромінювачів в актуальному інфрачервоному діапазоні. Перебудова зонного спектра ВН під дією одноосьового стиску призводить також до появи низки важливих аномалій у фотоелектричних і фотомагнітних явищах. У БН одноосьовий пружний стиск призводить до різкої зміни картини рекомбінаційних процесів. Експериментально спостережено та теоретично пояснено явище індукованого стиском стимульованого випромінювання у ТГц-діапазоні, яке відкриває можливість для практичного створення ТГц-лазера з перебудовуваною довжиною хвилі. Одноосьовий стиск призводить також до перебудови домішкових станів у напівпровідниках. Зокрема, розглянуто випадок, коли несиметричність притаманна не кристалічній гратці, а самому домішковому центрові. Така задача становить значний інтерес у зв'язку з активізацією протягом останніх років досліджень ізоелектронної азотної домішки в напівпровідниках <$Eroman {A sup 3 B sup 5}>.

• Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич (фізико-математичні науки)
• Стріха Максим Віталійович (1961–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"