В p-InAs (<$E R sub H~=~22,5~roman {см sup 3 "/" C}>, <$E rho~=~0,15~OMEGA~cdot~roman см>) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (<$E R sub H~=~5~roman {см sup 3 "/" C}>, <$E rho~=~0,62 OMEGA~cdot~roman см>), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление <$E rho>, коэффициент Холла <$E R sub H> и поперечное магнитосопротивление <$E DELTA rho sub xx "/" rho sub 0> при высоком гидростатическом давлении до <$E P~symbol Г~9> ГПа в области комнатных температур. На зависимостях <$E DELTA rho sub xx "/" rho sub 0 ( P,~H )> в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn обнаружен магниторезистивный эффект.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"