Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні <$E х ( roman Y )~=~0~symbol Ш~0,25>. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (<$E epsilon sub roman F>) <$E {roman Zr} sub 1-x {roman Y} sub x roman NiSn>, механізми керування положенням <$E epsilon sub roman F> та особливості функцій перетворення резистивних і термоелектричних термоелементів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53 + В379.271.51

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"