Комплексно исследованы и сравнены сверхпроводящие свойства двух- и многослойных полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур типа <$E roman {A sup IV B sup VI}>, проявляющих сверхпроводимость при критических температурах <$E T sub c~symbol Г~6,5> K. Сверхпроводимость этих систем связана с инверсией зон в узкощелевых полупроводниках, обусловленной неоднородными напряжениями, создаваемыми сеткой дислокаций несоответствия, возникающей на границах раздела при эпитаксиальном росте. Обнаружено, что <$E T sub c> и характер сверхпроводящего перехода двухслойных гетероструктур PbTe/PbS зависят от толщины полупроводниковых слоев d и напрямую связаны с качеством сеток дислокаций несоответствия на интерфейсах (количеством и типом структурных дефектов в сетках). Найдены существенные отличия в поведении двухслойных сэндвичей и сверхрешеток. Минимальная толщина d, при которой появляется сверхпроводимость, для двухслойных систем в несколько раз больше, чем для многослойных. Верхние критические магнитные поля <$E H sub c2> двухслойных систем более анизотропны. В области температур, близких к <$E T sub c>, для сверхрешеток наблюдается 3D-поведение, а ее понижение приводит к кроссоверу 3D - 2D. Для двухслойных структур 2D-поведение начинается непосредственно от <$E T sub c> и обнаруживается кроссовер типа 2D - 1D с резкой расходимостью <$E H sub c2>, характерной для сверхпроводящих сеток.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В368.31

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Михайлов Михайло Юрійович (фізико-математичні науки)
• Бенгус Сергій Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"