Методом Чохральского выращены монокристаллы <$E roman {PbMoO sub 4 :Nd sup 3+}> и <$E roman {PbWO sub 4 :Nd sup 3+}> в концентрационном интервале до 3 и 1,7 мас. % активатора в кристалле, соответственно. Изучены коэффициент сегрегации <$E roman Nd sup 3+> и лучевая прочность в зависимости от концентрации активатора и способа введения. По углу аномальной двуосности 2V оценена степень структурного совершенства кристаллов.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г534.523.1 + В375.147

Рубрики:

Оксидні системи

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"