Табрізі М. Вплив багаторазового розсіяння на ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання назад : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.16 / М. Табрізі; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2004. - 16 c. - укp.Розвинуто теорію параметричного рентгенівського випромінювання, яка враховує природну ширину лінії даного випромінювання та вплив багаторазового розсіювання частинок у кристалі на характеристики рентгенівського випромінювання. Уперше для опису цього процесу застосовано метод функціонального інтегрування. Виведено формули, які описують природну ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання "назад" та вплив багаторазового розсіяння на ширину цієї лінії. Досліджено роль механізмів когерентного та некогерентного багаторазового розсіяння релятивістських електронів у кристалі стосовно ширини лінії зазначеного випромінювання та вплив багаторазового розсіяння на ширину цієї лінії. Вивчено вплив механізмів когерентного та некогерентного багаторазового розсіяння релятивістських електронів у кристалі на ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання "назад". Знайдено умови, за яких ці механізми значно впливають на формування ширини ліній параметричного рентгенівського випромінювання. Спрогнозовано ефект розщеплення цієї лінії, що знаходиться у взаємозв'язку з явищем площинного каналювання релятивістських позитронів у кристалі. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.14,022 + В382.904.110.33,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА333059 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|