Проведено комплексне дослідження кристалічної структури, механічних, гальваномагнітних, термоелектричних і люмінесцентних властивостей кристалів CuInSe2 у разі відхилу від стехіометрії та введення CdS. З метою цілеспрямованого введення у CuInSe2 дефектів нестехіометрії певного типу використано метод "контрольованих атомних дефектів". Встановлено зв'язок між складом, типом і концентрацією дефектів нестехіометрії, структурою та властивостями CuInSe2 за різного характеру відхилу від стехіометрії. Визначено основні типи дефектів та енергії активації пов'язаних з ними енергетичних рівнів. Виявлено ряд нових цікавих ефектів: зміну механізму дефектоутворення та немонотонний характер зміни властивостей у межах області гомогенності за умов введення в CuInSe2 надлишкового Se, падіння концентрації носіїв заряду в CuInSe2 в області електричної активності домішки InSe, існування тільки вузької області електричної дії надстехіометричної домішки, яка вводиться в CuInSe2 у вигляді стійкої сполуки (InSe, In2Se3), осциляційний характер температурних залежностей гальваномагнітних властивостей у зразках зі значною концентрацією нейтральних і заряджених вакансій. Встановлено межу розчинності CdS в CuInSe2. Досліджено ізотерми властивостей у твердих розчинах на основі CuInSe2. Виявлено немонотонний характер зміни властивостей у межах гомогенності, пов'язаний з процесами колективної взаємодії та можливим упорядкуванням домішкових дефектів.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Тавріна Тетяна Володимирівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"