Рибалка І. А. Вплив дефектів структури на електрофізичні та сцинтиляційні характеристики кристалів твердих розчинів ZnSe - ZnTe і CdTe - ZnTe : автореф. дис... канд. техн. наук : 05.02.01 / І. А. Рибалка; Ін-т монокристалів НАН України. - Х., 2008. - 20 c. - укp.Вивчено умови формування структурних дефектів, їх тип і концентрації. Виявлено взаємозв'язок процесів дефектоутворення з електрофізичними, сцинтиляційними та механічними властивостями кристалів твердих розчинів ZnSe - ZnTe і CdTe - ZnTe. Проведено комплексне дослідження структурних, механічних, оптичних, електричних і сцинтиляційних характеристик кристалів <$E{ roman ZnSe} sub {1~-~x } { roman Te} sub x> і <$E{ roman Cd} sub {1~-~x } {roman Zn} sub x roman Te>. Вивчено умови хімічної взаємодії розплавів сполук ZnSe, CdTe і ZnTe з конструкційними матеріалами та газовим середовищем у ході вирощування кристалів за методом Бриджмена. Встановлено оптимальні умови, за яких ступінь забруднення кристалів мінімальний. Визначено вплив хімічної чистоти вихідної сировини, умов вирощування та структурної досконалості кристалів <$E{ roman Cd} sub {1~-~x } {roman Zn} sub x roman Te> на оптичні й електрофізичні параметри виготовлення з них детекторів рентген- і гамма-радіації. Визначено оптимальний діапазон концентрацій легувальної домішки телуру у кристалах ZnSe і режими термічної обробки, які забезпечують одержання сцинтиляторів з високим рівнем структурної досконалості, задовільною механічною міцністю та заданими сцинтиляційними параметрами. Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5 + З843
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА362431 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|